HEXFET® Power MOSFET
- Isolated Package
- High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
- Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
- P-Channel
- Dynamic dv/dt Rating
- Low Thermal Resistance
|
IRFI9630G
0 kappale kappaletta
Tällä hetkellä ei saatavilla
Huom: Viimeinen tuote varastossa!
Tulossa:
HEXFET® Power MOSFET
Luokitus | MOSFET |
Kotelo | TO220F |
Jänniteluokka | 200V |
Virtaluokka | 4A |