- Tyyppi: NPN-bipolaarinen liitostransistori (BJT)
- Kotelo: TO-220
- Suurimmat nimellisarvot:
- Kollektori-emitterijännite (VCBO): 60 V
- Kollektori-emitterijännite (VCEO): 60 V
- Emitter-base-jännite (VEBO): 5 V
- Kollektorivirta (IC): 3 A
- Tehonhävikki (Ptot): 30 W
- DC-virran vahvistus (hFE): 40–320 @ IC = 1 A
- Kyllästysjännite (VCE(sat)): ~1,0 V @ IC = 2 A, IB = 0,2 A
- Siirtymataajuus (fT): ~5 MHz
