|
DTLDG2M - 1 km kantama,...
2N1893
Tällä hetkellä ei saatavilla
Huom: Viimeinen tuote varastossa!
Tulossa:
GENERAL PURPOSE HIGH-VOLTAGE TYPE - silicon planar epitaxial NPN transistor designed for use in high-performance amplifier, oscillator and switching circuits. Provides greater voltage swings in oscillator and amplifier circuits and more protection in inductive switching circuits due to its 120 V collector-to-base voltage rating.
Kotelo | TO39 |
0,09 €
13,20 €
BJT NPN 45V 0,2A 0,6W 300MHz TO18
2,11 €
For high-frequency RF amplification.
0,40 €
BJT NPN 60V 1A 0,8W TO39
1,34 €
BJT NPN 25V 0,2A 0,6W 300MHz TO18
1,08 €
LOW ESR Elektrolyyttikondensaattori 2200µF...
1,70 €
0,30 €
Bipolaarinen elektrolyyttikondensaattori 10µF...
0,87 €
0,93 €