2. Elektroniikan komponentit
  3. Aktiivit
  4. Transistorit ja Fetit
  5. Kytkinfetit N-kanava
  6. N-KANAVA FET IRF1310NS D2PAK

Kytkinfetit N-kanava

Valmistajat

Uusi FETTI SW IRF1405 D2PAK Näytä suurempana

N-KANAVA FET IRF1310NS D2PAK

IRF1310NS

10 kappaletta

Varastossa

Valmistajan kotisivu

5,83 €

10+5,35 €

  • Drain-lähdejännite (VDS) 100 V
  • Jatkuva drain-virta (ID) 42 A @ 25 °C
  • Pulssitettu drain-virta (IDM) 140 A
  • Gate-kynnysjännite (VGS 3 V
  • Gate-lähdejännite (VGS) ±20 V
  • RDS(on) (maks. @ VGS = 10V) 36 mΩ
  • Gate-varaus yhteensä (QG) 73,3 nC
  • Gate-drain-varaus (Qgd) 38,7 nC
  • Tehonkulutus (PD) 3,8 W
  • Lämpövastus (RthJC) 0,95 °C/W
  • Käyttölämpötila -55 °C – +175 °C
  • Kotelo D2PAK (TO-263)
  • Teknologia Viidennen sukupolven HEXFET®
ValmistajaIRF
Valmistajan malliIRF1310NS
Käyttölämpötila-55...+125°C
KoteloD2PAK
Jänniteluokka100V
Virtaluokka40A

Datasheet IRF1310

Lataa (727.6k)
 
Tuo ostoskori Excel-tiedostosta (.xls) jossa on tuotekoodit ja määrät